NTLLD4951NFTWG
참조 용
| 부품 번호 | NTLLD4951NFTWG |
| PNEDA 부품 번호 | NTLLD4951NFTWG |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,794 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTLLD4951NFTWG 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTLLD4951NFTWG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTLLD4951NFTWG 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.5A, 6.3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 17.4mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 605pF @ 15V |
| 전력-최대 | 800mW, 810mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-WDFN (3x3) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 42mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 905pF @ 10V 전력-최대 1.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 10V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.5A, 6.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30.4nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1525pF @ 6V 전력-최대 2.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI5060-8 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 317A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 448nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 27400pF @ 25V 전력-최대 1136W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
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