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NTLUD3A260PZTAG

NTLUD3A260PZTAG

참조 용

부품 번호 NTLUD3A260PZTAG
PNEDA 부품 번호 NTLUD3A260PZTAG
설명 MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
제조업체 ON Semiconductor
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NTLUD3A260PZTAG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTLUD3A260PZTAG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTLUD3A260PZTAG, NTLUD3A260PZTAG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 133.52 KB)
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NTLUD3A260PZTAG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs200mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds300pF @ 10V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-UDFN (1.6x1.6)

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

187nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5155pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FDMD8630

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Ta), 167A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

142nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9930pF @ 15V

전력-최대

2.3W (Ta), 43W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-Power 5x6

AON5810

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1360pF @ 10V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-DFN-EP (2x5)

CCS020M12CM2

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

Z-Rec®

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

29.5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

61.5nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 800V

전력-최대

167W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

NTJD1155LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

175mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

400mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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