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NTLUS3A39PZTAG

NTLUS3A39PZTAG

참조 용

부품 번호 NTLUS3A39PZTAG
PNEDA 부품 번호 NTLUS3A39PZTAG
설명 MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,604
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예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
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NTLUS3A39PZTAG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTLUS3A39PZTAG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTLUS3A39PZTAG, NTLUS3A39PZTAG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 147.14 KB)
PDFNTLUS3A39PZTBG 데이터 시트 표지
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NTLUS3A39PZTAG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈µCool™
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10.4nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds920pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)600mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-UDFN (1.6x1.6)
패키지 / 케이스6-PowerUFDFN

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1040W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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DMP3007SFG-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2826pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

C3M0120090J

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

C3M™

FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

155mOhm @ 15A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.3nC @ 15V

Vgs (최대)

+18V, -8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 600V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK-7

패키지 / 케이스

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SI7358ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4650pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.9W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

80pF @ 500V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

13W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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