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NTMFD5C466NLT1G

NTMFD5C466NLT1G

참조 용

부품 번호 NTMFD5C466NLT1G
PNEDA 부품 번호 NTMFD5C466NLT1G
설명 T6 40V LL S08FL DS
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTMFD5C466NLT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTMFD5C466NLT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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NTMFD5C466NLT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds997pF @ 25V
전력-최대3W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3168pF @ 25V

전력-최대

64W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

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ZVN4206NTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-223-8

공급자 장치 패키지

SOT-223

CAS120M12BM2

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

193A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 120A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 6mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

378nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6300pF @ 1000V

전력-최대

925W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

MCH6606-TL-EX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

ZXMP3A16DN8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1022pF @ 15V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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