NTMFD5C470NLT1G
참조 용
| 부품 번호 | NTMFD5C470NLT1G |
| PNEDA 부품 번호 | NTMFD5C470NLT1G |
| 설명 | T6 40V LL S08FL DS |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 13,620 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTMFD5C470NLT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTMFD5C470NLT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTMFD5C470NLT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Ta), 36A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 20µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 590pF @ 25V |
| 전력-최대 | 3W (Ta), 24W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 220mA, 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12.5pF @ 15V 전력-최대 125mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-963 공급자 장치 패키지 SOT-963 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 PowerPAIR®, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Tc), 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 325pF @ 15V, 650pF @ 15V 전력-최대 16W, 16.7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-Power33 (3x3) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.1A (Ta), 42A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 805pF @ 20V 전력-최대 2.6W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI5060-8 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.8A, 7.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 640pF @ 20V 전력-최대 3W, 3.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.5A, 6.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17.4mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 605pF @ 15V 전력-최대 800mW, 810mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3x3) |
