NTMFS4833NST1G
참조 용
| 부품 번호 | NTMFS4833NST1G |
| PNEDA 부품 번호 | NTMFS4833NST1G |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,064 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTMFS4833NST1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTMFS4833NST1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NTMFS4833NST1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | SENSEFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Ta), 156A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 86nC @ 11.5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5250pF @ 12V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 900mW (Ta), 86.2W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SO-8FL |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 23µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2700pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TDSON-8-5 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 50A Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7209pF @ 800V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 583W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247AB 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
