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NTMFS4C027NT1G

NTMFS4C027NT1G

참조 용

부품 번호 NTMFS4C027NT1G
PNEDA 부품 번호 NTMFS4C027NT1G
설명 MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN
제조업체 ON Semiconductor
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NTMFS4C027NT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTMFS4C027NT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTMFS4C027NT1G, NTMFS4C027NT1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 134.92 KB)
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  • NTMFS4C027NT1G Distributor

NTMFS4C027NT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16.4A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18.2nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1670pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN, 5 Leads

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제조업체

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시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

82A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 41A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

275nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1560W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PLUS264™

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

NTD24N06L-1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1140pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.36W (Ta), 62.5W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SCT20N120

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 10A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 20V

Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

175W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

HiP247™

패키지 / 케이스

TO-247-3

NTP5426NG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

215W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2010pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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