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NTMFS4C13NT3G

NTMFS4C13NT3G

참조 용

부품 번호 NTMFS4C13NT3G
PNEDA 부품 번호 NTMFS4C13NT3G
설명 MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTMFS4C13NT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTMFS4C13NT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTMFS4C13NT3G, NTMFS4C13NT3G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 132.79 KB)
PDFNTMFS4C13NT3G 데이터 시트 표지
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  • NTMFS4C13NT3G Distributor

NTMFS4C13NT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.2A (Ta), 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs9.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15.2nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds770pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)750mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

AlphaMOS

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.1W (Ta), 12.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (3x3)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

550V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

13V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 4.2A, 13V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 350µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

773pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

119W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RDN050N20FU6

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

720mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

292pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FN

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

66A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

735W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

BSC057N08NS3GATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 73µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3900pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 114W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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