NTMFS4C53NT3G
참조 용
| 부품 번호 | NTMFS4C53NT3G |
| PNEDA 부품 번호 | NTMFS4C53NT3G |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,272 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 22 - 4월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTMFS4C53NT3G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTMFS4C53NT3G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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NTMFS4C53NT3G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| 기술 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 DTMOSIV FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 690µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 300V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 40W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220SIS 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 IXYS 시리즈 PolarHV™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 170mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 85nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5500pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 540W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 (IXTH) 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 IXYS 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 SuperMESH™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 41.5nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1160pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 125W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 196nC @ 10V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9417pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 136W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
