NTMJS1D2N04CLTWG
참조 용
| 부품 번호 | NTMJS1D2N04CLTWG |
| PNEDA 부품 번호 | NTMJS1D2N04CLTWG |
| 설명 | T6 40V LL LFPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,532 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 27 - 3월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTMJS1D2N04CLTWG 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTMJS1D2N04CLTWG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NTMJS1D2N04CLTWG 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 41A (Ta), 237A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 170µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5600pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.8W (Ta), 128W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-LFPAK |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerSMD, Gull Wing |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVI FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500mW (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 UFM 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads |
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