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NTST40H120ECTG

NTST40H120ECTG

참조 용

부품 번호 NTST40H120ECTG
PNEDA 부품 번호 NTST40H120ECTG
설명 DIODE SCHOTTKY 120V 40A TO220
제조업체 ON Semiconductor
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NTST40H120ECTG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTST40H120ECTG
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
NTST40H120ECTG, NTST40H120ECTG 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 61.44 KB)
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NTST40H120ECTG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)120V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If930mV @ 20A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 90V
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 200V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 30V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

250A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

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Three Tower

40CPQ040

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

490mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 40V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

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1 Pair Series Connection

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

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