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NTUD3174NZT5G

NTUD3174NZT5G

참조 용

부품 번호 NTUD3174NZT5G
PNEDA 부품 번호 NTUD3174NZT5G
설명 MOSFET 2 N-CH 20V 220MA SOT963
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,160
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTUD3174NZT5G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTUD3174NZT5G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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NTUD3174NZT5G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)220mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds12.5pF @ 15V
전력-최대125mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-963
공급자 장치 패키지SOT-963

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ON Semiconductor

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Ta), 136A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.76nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

FDMC3300NZA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

815pF @ 10V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-Power33 (3x3)

APTM20DHM16T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

104A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7220pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

APTM100A12STG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

68A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

616nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17400pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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