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NVGS3130NT1G

NVGS3130NT1G

참조 용

부품 번호 NVGS3130NT1G
PNEDA 부품 번호 NVGS3130NT1G
설명 MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
제조업체 ON Semiconductor
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NVGS3130NT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVGS3130NT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NVGS3130NT1G, NVGS3130NT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 230.63 KB)
PDFNVGS3130NT1G 데이터 시트 표지
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NVGS3130NT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20.3nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds935pF @ 16V
FET 기능-
전력 손실 (최대)600mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-TSOP
패키지 / 케이스SOT-23-6

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 14.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

310W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

제조업체

IXYS

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

165mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 790µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

패키지 / 케이스

ISOPLUSi5-Pak™

TK14A45DA(STA4,QM)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

450V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13.5A

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

410mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220SIS

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

RW1A013ZPT2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

260mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-WEMT

패키지 / 케이스

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TPN2R805PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

139A (Ta), 80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 300µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.2nF @ 22.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.67W (Ta), 104W (Tc)

작동 온도

175°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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