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NVMD4N03R2G

NVMD4N03R2G

참조 용

부품 번호 NVMD4N03R2G
PNEDA 부품 번호 NVMD4N03R2G
설명 MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 8,640
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NVMD4N03R2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMD4N03R2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NVMD4N03R2G, NVMD4N03R2G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 142.27 KB)
PDFNVMD4N03R2G 데이터 시트 표지
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NVMD4N03R2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds400pF @ 20V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

5W, 7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

FDMS3660S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1765pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

Power56

DMTH6016LPD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A (Ta), 33.2A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

864pF @ 30V

전력-최대

2.5W (Ta), 37.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

SI1539CDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA, 500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

388mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

28pF @ 15V

전력-최대

340mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

UM5K1NTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 5V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

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