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NVMFD5C446NT1G

NVMFD5C446NT1G

참조 용

부품 번호 NVMFD5C446NT1G
PNEDA 부품 번호 NVMFD5C446NT1G
설명 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,298
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NVMFD5C446NT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMFD5C446NT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NVMFD5C446NT1G, NVMFD5C446NT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 253.33 KB)
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NVMFD5C446NT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)24A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2450pF @ 25V
전력-최대3.2W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 10V

전력-최대

4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

12-SIP

공급자 장치 패키지

12-SIP

DMN2053UVT-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

369pF @ 10V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

FDG6335N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

113pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

DMN3270UVT-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 650mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 40µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.07nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

161pF @ 15V

전력-최대

760mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

FDS8984

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

635pF @ 15V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8-SOIC

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