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NVMFD5C462NWFT1G

NVMFD5C462NWFT1G

참조 용

부품 번호 NVMFD5C462NWFT1G
PNEDA 부품 번호 NVMFD5C462NWFT1G
설명 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 8,316
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NVMFD5C462NWFT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMFD5C462NWFT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NVMFD5C462NWFT1G, NVMFD5C462NWFT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 138.35 KB)
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  • NVMFD5C462NWFT1G Distributor

NVMFD5C462NWFT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1940pF @ 6V

전력-최대

550mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

DMG9926UDM-7

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

856pF @ 10V

전력-최대

980mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-26

ZXMD65N02N8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SI1033X-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

145mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SC-89-6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

125mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18.5pF @ 5V

전력-최대

200mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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