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NVMFD5C672NLWFT1G

NVMFD5C672NLWFT1G

참조 용

부품 번호 NVMFD5C672NLWFT1G
PNEDA 부품 번호 NVMFD5C672NLWFT1G
설명 MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NVMFD5C672NLWFT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMFD5C672NLWFT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NVMFD5C672NLWFT1G, NVMFD5C672NLWFT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 138.48 KB)
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  • NVMFD5C672NLWFT1G Distributor

NVMFD5C672NLWFT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs11.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds793pF @ 25V
전력-최대3.1W (Ta), 45W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2223pF @ 25V

전력-최대

53W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

AON5810

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1360pF @ 10V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-DFN-EP (2x5)

IRL6297SDTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2245pF @ 10V

전력-최대

1.7W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric SA

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ SA

JANTXV2N7334

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/597

FET 유형

4 N-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

MO-036AB

DMG4511SK4-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A, 5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 25V

전력-최대

1.54W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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