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NVMFS4C03NWFT3G

NVMFS4C03NWFT3G

참조 용

부품 번호 NVMFS4C03NWFT3G
PNEDA 부품 번호 NVMFS4C03NWFT3G
설명 MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
제조업체 ON Semiconductor
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NVMFS4C03NWFT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMFS4C03NWFT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NVMFS4C03NWFT3G, NVMFS4C03NWFT3G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 133.95 KB)
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NVMFS4C03NWFT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)31.4A (Ta), 143A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs45.2nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3071pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.71W (Ta), 77W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

69mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WPAK

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

PSMN8R9-100BSEJ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

108A

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

128nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.11nF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

296W

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK31E60X,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

DTMOSIV-H

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

88mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3000pF @ 300V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

STP90N6F6

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

DeepGATE™, STripFET™ VI

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

84A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 38.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

74.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4295pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

136W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

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ADUM1100ARZ

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MTA8ATF51264HZ-2G6B1

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