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NVMFS5C442NLWFAFT3G

NVMFS5C442NLWFAFT3G

참조 용

부품 번호 NVMFS5C442NLWFAFT3G
PNEDA 부품 번호 NVMFS5C442NLWFAFT3G
설명 MOSFET N-CH 40V 29A 130A 5DFN
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NVMFS5C442NLWFAFT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMFS5C442NLWFAFT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NVMFS5C442NLWFAFT3G, NVMFS5C442NLWFAFT3G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 179.78 KB)
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NVMFS5C442NLWFAFT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)29A (Ta), 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs50nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3100pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.7W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN, 5 Leads

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

89nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2210pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

280W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

CSD25483F4

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

205mOhm @ 500mA, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.959nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

198pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

3-PICOSTAR

패키지 / 케이스

3-XFDFN

IPP80N04S303AKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 120µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

188W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

ATP216-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2700pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

165pF @ 5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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