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NVMFS5C604NLAFT3G

NVMFS5C604NLAFT3G

참조 용

부품 번호 NVMFS5C604NLAFT3G
PNEDA 부품 번호 NVMFS5C604NLAFT3G
설명 MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NVMFS5C604NLAFT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMFS5C604NLAFT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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NVMFS5C604NLAFT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)287A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs52nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8900pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)200W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN, 5 Leads

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2820pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

VN2406L-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

240V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

190mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

125pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-92-3

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

STB28NM60ND

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

FDmesh™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2090pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

190W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFI634GPBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

35W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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공급자 장치 패키지

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1760pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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공급자 장치 패키지

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