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NVMFS5C628NLT3G

NVMFS5C628NLT3G

참조 용

부품 번호 NVMFS5C628NLT3G
PNEDA 부품 번호 NVMFS5C628NLT3G
설명 MOSFET N-CH 60V SO8FL
제조업체 ON Semiconductor
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NVMFS5C628NLT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMFS5C628NLT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NVMFS5C628NLT3G, NVMFS5C628NLT3G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 140.55 KB)
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  • NVMFS5C628NLT3G Distributor

NVMFS5C628NLT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 135µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs52nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3600pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.7W (Ta), 110W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

59nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4880pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

135W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPI100N06S3-03

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 230µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

480nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21620pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

MIC94030YM4-TR

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

TinyFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

16V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

568mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-143

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

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제조업체

IXYS

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

175nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

298W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXTH)

패키지 / 케이스

TO-247-3

STP80NF70

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

68V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

98A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

190W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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