NVMYS4D1N06CLTWG
참조 용
| 부품 번호 | NVMYS4D1N06CLTWG |
| PNEDA 부품 번호 | NVMYS4D1N06CLTWG |
| 설명 | T6 60V LL LFPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,690 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 25 - 4월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NVMYS4D1N06CLTWG 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NVMYS4D1N06CLTWG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NVMYS4D1N06CLTWG 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 22A (Ta), 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 80µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.7W (Ta), 79W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | LFPAK4 (5x6) |
| 패키지 / 케이스 | SOT-1023, 4-LFPAK |
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제조업체 IXYS 시리즈 MegaMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 240nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6400pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 390W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-264 (IXTK) 패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA |
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제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 33mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 152nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10900pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 330W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 ISOPLUS247™ 패키지 / 케이스 ISOPLUS247™ |
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