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NVTFWS015N04CTAG

NVTFWS015N04CTAG

참조 용

부품 번호 NVTFWS015N04CTAG
PNEDA 부품 번호 NVTFWS015N04CTAG
설명 MOSFET N-CH 40V 27A
제조업체 ON Semiconductor
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NVTFWS015N04CTAG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVTFWS015N04CTAG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NVTFWS015N04CTAG, NVTFWS015N04CTAG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 137.14 KB)
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NVTFWS015N04CTAG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.4A (Ta), 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.3nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds325pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.9W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

717pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

27.8W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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ON Semiconductor

제조업체

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

33A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

52mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1630pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.75W (Ta), 127W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

QFET®

FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.55Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2280pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

198W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95.9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.9nC @ 4.5V

Vgs (최대)

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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-

전력 손실 (최대)

62.5W (Tc)

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10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1430pF @ 25V

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-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 142W (Tc)

작동 온도

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