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NVTJD4001NT2G

NVTJD4001NT2G

참조 용

부품 번호 NVTJD4001NT2G
PNEDA 부품 번호 NVTJD4001NT2G
설명 MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,840
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NVTJD4001NT2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVTJD4001NT2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NVTJD4001NT2G, NVTJD4001NT2G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 192.28 KB)
PDFNTJD4001NT2G 데이터 시트 표지
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  • NVTJD4001NT2G Distributor

NVTJD4001NT2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)250mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds33pF @ 5V
전력-최대272mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

3.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

EM6J1T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

115pF @ 10V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

EMT6

AO4800L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

VT6M1T2CR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 1.2V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.1pF @ 10V

전력-최대

120mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

VMT6

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

108mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 25V

전력-최대

568W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

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