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NX138AKSX

NX138AKSX

참조 용

부품 번호 NX138AKSX
PNEDA 부품 번호 NX138AKSX
설명 MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 23,808
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NX138AKSX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NX138AKSX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NX138AKSX, NX138AKSX 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 783.5 KB)
PDFNX138AKSF 데이터 시트 표지
NX138AKSF 데이터 시트 페이지 2 NX138AKSF 데이터 시트 페이지 3 NX138AKSF 데이터 시트 페이지 4 NX138AKSF 데이터 시트 페이지 5 NX138AKSF 데이터 시트 페이지 6 NX138AKSF 데이터 시트 페이지 7 NX138AKSF 데이터 시트 페이지 8 NX138AKSF 데이터 시트 페이지 9 NX138AKSF 데이터 시트 페이지 10 NX138AKSF 데이터 시트 페이지 11

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NX138AKSX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)170mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds20pF @ 30V
전력-최대325mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

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Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

880pF @ 20V

전력-최대

20.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

BSD235N L6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

950mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1.6µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.32nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

63pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

FDG6313N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

DMP2240UDM-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 16V

전력-최대

600mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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DMC1018UPD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A, 6.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30.4nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1525pF @ 6V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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