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NX3008CBKS,115

NX3008CBKS,115

참조 용

부품 번호 NX3008CBKS,115
PNEDA 부품 번호 NX3008CBKS-115
설명 MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
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NX3008CBKS 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NX3008CBKS,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NX3008CBKS, NX3008CBKS 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 2,329.69 KB)
PDFNX3008CBKS 데이터 시트 표지
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NX3008CBKS 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)350mA, 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 15V
전력-최대445mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 10V

전력-최대

10.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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PowerPAK® ChipFet Dual

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 10V

전력-최대

1.65W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TDFN Exposed Pad

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Infineon Technologies

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Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 27µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

790pF @ 25V

전력-최대

65W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

155mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 10V

전력-최대

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