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NX7002BKMYL

NX7002BKMYL

참조 용

부품 번호 NX7002BKMYL
PNEDA 부품 번호 NX7002BKMYL
설명 MOSFET N-CH 60V SGL XQFN3
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NX7002BKMYL 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NX7002BKMYL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NX7002BKMYL, NX7002BKMYL 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 723.09 KB)
PDFNX7002BKMYL 데이터 시트 표지
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NX7002BKMYL 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds23.6pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)350mW (Ta), 3.1W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DFN1006-3
패키지 / 케이스SC-101, SOT-883

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FET 유형

N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3020pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 68A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4010pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 77W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

BS107ARL1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-92-3

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

SIHB22N60ET1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

E

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1920pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

227W (Tc)

작동 온도

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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