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NXPSC04650Q

NXPSC04650Q

참조 용

부품 번호 NXPSC04650Q
PNEDA 부품 번호 NXPSC04650Q
설명 DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
제조업체 WeEn Semiconductors
단가 견적 요청
재고 있음 33,960
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NXPSC04650Q 리소스

브랜드 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NXPSC04650Q
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NXPSC04650Q, NXPSC04650Q 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 229.88 KB)
PDFNXPSC04650Q 데이터 시트 표지
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NXPSC04650Q 사양

제조업체WeEn Semiconductors
시리즈-
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)4A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 4A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr170µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F130pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220AC
작동 온도-접합175°C (Max)

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

14pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

500V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 2.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 500V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.55V @ 60A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 1600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

65ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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SMC Diode Solutions

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180A

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

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