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NZ9F3V0T5G

NZ9F3V0T5G

참조 용

부품 번호 NZ9F3V0T5G
PNEDA 부품 번호 NZ9F3V0T5G
설명 DIODE ZENER 3V 200MW SOD923
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,088
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NZ9F3V0T5G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NZ9F3V0T5G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
NZ9F3V0T5G, NZ9F3V0T5G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 118.27 KB)
PDFNZ9F9V1T5G 데이터 시트 표지
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NZ9F3V0T5G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3V
공차±5%
전력-최대200mW
임피던스 (최대) (Zzt)100 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-923
공급자 장치 패키지SOD-923

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공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

SMBJ5373BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

44 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 49V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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1N5242B TR

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

CDLL5924D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±1%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

4 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

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제조업체

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공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

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전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 6V

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