PBR951,215
참조 용
| 부품 번호 | PBR951,215 |
| PNEDA 부품 번호 | PBR951-215 |
| 설명 | RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,784 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PBR951 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PBR951,215 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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PBR951 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 10V |
| 주파수-전환 | 8GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| 이득 | - |
| 전력-최대 | 365mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 6V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-236AB (SOT23) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 6dB @ 60MHz 이득 15dB 전력-최대 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 55V 주파수-전환 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 6dB ~ 6.5dB 전력-최대 1700W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대) 40A 작동 온도 200°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 55KT 공급자 장치 패키지 55KT |
