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PBSS2515M,315

PBSS2515M,315

참조 용

부품 번호 PBSS2515M,315
PNEDA 부품 번호 PBSS2515M-315
설명 TRANS NPN 15V 0.5A SOT883
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 213,762
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PBSS2515M 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PBSS2515M,315
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
PBSS2515M, PBSS2515M 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 350.59 KB)
PDFPBSS2515M 데이터 시트 표지
PBSS2515M 데이터 시트 페이지 2 PBSS2515M 데이터 시트 페이지 3 PBSS2515M 데이터 시트 페이지 4 PBSS2515M 데이터 시트 페이지 5 PBSS2515M 데이터 시트 페이지 6 PBSS2515M 데이터 시트 페이지 7 PBSS2515M 데이터 시트 페이지 8 PBSS2515M 데이터 시트 페이지 9 PBSS2515M 데이터 시트 페이지 10

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PBSS2515M 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce150 @ 100mA, 2V
전력-최대430mW
주파수-전환420MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지DFN1006-3

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

ZXTP03200BZTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

260mV @ 400mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 5V

전력-최대

1.1W

주파수-전환

105MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89

BC69-25PASX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

전력-최대

420mW

주파수-전환

140MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN2020D-3

KSD1691GSTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 1V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126-3

MJD210RLG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.8V @ 1A, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

45 @ 2A, 1V

전력-최대

1.4W

주파수-전환

65MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

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