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PC28F512M29EWLE

PC28F512M29EWLE

참조 용

부품 번호 PC28F512M29EWLE
PNEDA 부품 번호 PC28F512M29EWLE
설명 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PC28F512M29EWLE 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PC28F512M29EWLE
분류반도체메모리 IC기억

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PC28F512M29EWLE 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지100ns
접근 시간100ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스64-LBGA
공급자 장치 패키지64-FBGA (11x13)

관심을 가질만한 제품

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Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 1.75ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

RM24C64C-BTAC-T

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

Mavriq™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

CBRAM®

기술

CBRAM

메모리 크기

64kb (32B Page Size)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

750kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

THGBMHG8C4LBAU7

Toshiba Memory America, Inc.

제조업체

Toshiba Memory America, Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (MLC)

메모리 크기

32Gb (4G x 8)

메모리 인터페이스

eMMC

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-WFBGA

공급자 장치 패키지

153-WFBGA (11.5x13)

MT48LC8M32LFB5-10 IT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPSDR

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

7ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-VFBGA

공급자 장치 패키지

90-VFBGA (8x13)

S70FS01GSDSBHM213

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, FS-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (6x8)

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