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PCF85116-3T/01,112

PCF85116-3T/01,112

참조 용

부품 번호 PCF85116-3T/01,112
PNEDA 부품 번호 PCF85116-3T-01-112
설명 IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8SO
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,550
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PCF85116-3T/01 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PCF85116-3T/01,112
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
PCF85116-3T/01, PCF85116-3T/01 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 180.54 KB)
PDFPCF85116-3P/01 데이터 시트 표지
PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 2 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 3 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 4 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 5 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 6 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 7 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 8 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 9 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 10 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 11

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PCF85116-3T/01 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

A2C00040269 A

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IS61NVP25672-250B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (256K x 72)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2.6ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

209-BGA

공급자 장치 패키지

209-LFBGA (14x22)

SST39LF040-55-4I-WHE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

55ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

48Gb (768M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

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