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PCF85116-3T/01,118

PCF85116-3T/01,118

참조 용

부품 번호 PCF85116-3T/01,118
PNEDA 부품 번호 PCF85116-3T-01-118
설명 IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8SO
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,064
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PCF85116-3T/01 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PCF85116-3T/01,118
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
PCF85116-3T/01, PCF85116-3T/01 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 180.54 KB)
PDFPCF85116-3P/01 데이터 시트 표지
PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 2 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 3 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 4 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 5 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 6 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 7 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 8 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 9 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 10 PCF85116-3P/01 데이터 시트 페이지 11

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PCF85116-3T/01 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPSDR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-VFBGA (8x8)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

8Gb (2G x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (9.5x11.5)

MT29F64G08AMCBBH2-12:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-TBGA

공급자 장치 패키지

100-TBGA (12x18)

MT40A512M16HA-083E IT:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

8Gb (512M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.2GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (9x14)

CY62148ELL-55SXIT

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제조업체

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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