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PD20010S-E

PD20010S-E

참조 용

부품 번호 PD20010S-E
PNEDA 부품 번호 PD20010S-E
설명 TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
제조업체 STMicroelectronics
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PD20010S-E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD20010S-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PD20010S-E, PD20010S-E 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 235.22 KB)
PDFPD20010STR-E 데이터 시트 표지
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PD20010S-E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2GHz
이득11dB
전압-테스트13.6V
전류 정격 (Amps)5A
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력10W
전압-정격40V
패키지 / 케이스PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
공급자 장치 패키지PowerSO-10RF (Straight Lead)

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Renesas Electronics America

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현재-테스트

10mA

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

22W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270-4

공급자 장치 패키지

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제조업체

Cree/Wolfspeed

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주파수

7.9GHz ~ 9.6GHz

이득

17dB

전압-테스트

40V

전류 정격 (Amps)

13A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

32W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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