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PD413PI

PD413PI

참조 용

부품 번호 PD413PI
PNEDA 부품 번호 PD413PI
설명 SENSOR PHOTODIODE 960NM SIDE
제조업체 Sharp Microelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,436
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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PD413PI 리소스

브랜드 Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD413PI
분류센서광 센서광 센서-포토 다이오드
데이터 시트
PD413PI, PD413PI 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 60.01 KB)
PDFPD413PI2E00F 데이터 시트 표지
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  • PD413PI Distributor

PD413PI 사양

제조업체Sharp Microelectronics
시리즈-
파장960nm
색상-강화-
분광 범위750nm ~ 1070nm
다이오드 유형-
nm에서의 반응-
응답 시간200ns
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)32V
전류-어둡게 (일반)10nA
활성 영역-
시야각90°
작동 온도-25°C ~ 85°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스Side View

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다이오드 유형

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nm에서의 반응

0.83 A/W @ 1300nm, 0.95 A/W @ 1550nm

응답 시간

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-어둡게 (일반)

50pA

활성 영역

0.10mm Dia

시야각

-

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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파장

420nm

색상-강화

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분광 범위

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다이오드 유형

-

nm에서의 반응

-

응답 시간

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-어둡게 (일반)

-

활성 영역

9mm²

시야각

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Array - 8 Element

MICROFJ-30035-TSV-TR1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

J

파장

420nm

색상-강화

-

분광 범위

200nm ~ 900nm

다이오드 유형

Avalanche

nm에서의 반응

-

응답 시간

110ps

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

24.7V

전류-어둡게 (일반)

1.9µA

활성 영역

9.43mm²

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

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제조업체

OSRAM Opto Semiconductors Inc.

시리즈

-

파장

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색상-강화

-

분광 범위

350nm ~ 1100nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

12ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-어둡게 (일반)

1nA

활성 영역

1mm²

시야각

80°

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-18-2 Metal Can

0200-3111-011

Advanced Photonix

제조업체

Advanced Photonix

시리즈

-

파장

900nm ~ 1700nm

색상-강화

Infrared (NIR)/Red

분광 범위

-

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

0.83 A/W @ 1300nm, 0.95 A/W @ 1550nm

응답 시간

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-어둡게 (일반)

600pA

활성 영역

0.50mm Dia

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

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