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PD85035-E

PD85035-E

참조 용

부품 번호 PD85035-E
PNEDA 부품 번호 PD85035-E
설명 FET RF 40V 870MHZ
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 8,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 7 - 2월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PD85035-E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD85035-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PD85035-E, PD85035-E 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 339.15 KB)
PDFPD85035S-E 데이터 시트 표지
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PD85035-E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수870MHz
이득17dB
전압-테스트13.6V
전류 정격 (Amps)8A
소음 수치-
현재-테스트350mA
전원-출력15W
전압-정격40V
패키지 / 케이스PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
공급자 장치 패키지PowerSO-10RF (Formed Lead)

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2dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

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공급자 장치 패키지

SOT-143R

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NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

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현재-테스트

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NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

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주파수

520MHz

이득

14.9dB

전압-테스트

7.2V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

630mW

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SC-62

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

20.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

35W

전압-정격

68V

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