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PD85035TR-E

PD85035TR-E

참조 용

부품 번호 PD85035TR-E
PNEDA 부품 번호 PD85035TR-E
설명 TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,070
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PD85035TR-E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD85035TR-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PD85035TR-E, PD85035TR-E 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 339.15 KB)
PDFPD85035S-E 데이터 시트 표지
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PD85035TR-E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수870MHz
이득17dB
전압-테스트13.6V
전류 정격 (Amps)8A
소음 수치-
현재-테스트350mA
전원-출력15W
전압-정격40V
패키지 / 케이스PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
공급자 장치 패키지PowerSO-10RF (Formed Lead)

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주파수

150MHz

이득

11.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

13A

소음 수치

3dB

현재-테스트

2A

전원-출력

125W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

211-11, Style 2

공급자 장치 패키지

211-11, Style 2

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Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz ~ 1.6GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

200W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

19.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

33W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.99GHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.25A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.66GHz

이득

14.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

35W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

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