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PDB-C504-ST

PDB-C504-ST

참조 용

부품 번호 PDB-C504-ST
PNEDA 부품 번호 PDB-C504-ST
설명 SENSOR PHOTODIODE 950NM
제조업체 Advanced Photonix
단가 견적 요청
재고 있음 2,160
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 7 - 7월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PDB-C504-ST 리소스

브랜드 Advanced Photonix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PDB-C504-ST
분류센서광 센서광 센서-포토 다이오드

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  • PDB-C504-ST Distributor

PDB-C504-ST 사양

제조업체Advanced Photonix
시리즈-
파장950nm
색상-강화Blue
분광 범위350nm ~ 1100nm
다이오드 유형PIN
nm에서의 반응-
응답 시간10ns
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-어둡게 (일반)150pA
활성 영역2.98mm²
시야각-
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스-

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Lumex Opto/Components Inc.

시리즈

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파장

1310nm

색상-강화

-

분광 범위

1100nm ~ 1600nm

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

0.9 A/W @ 1310nm

응답 시간

300ps

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

25V

전류-어둡게 (일반)

300pA

활성 영역

0.31mm²

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

-

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Advanced Photonix

제조업체

Advanced Photonix

시리즈

-

파장

-

색상-강화

-

분광 범위

300nm ~ 1100nm

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

-

응답 시간

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-어둡게 (일반)

500pA

활성 영역

-

시야각

-

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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제조업체

Marktech Optoelectronics

시리즈

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파장

800nm

색상-강화

Infrared (NIR)

분광 범위

450nm ~ 1050nm

다이오드 유형

Avalanche

nm에서의 반응

50 A/W @ 800nm

응답 시간

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-어둡게 (일반)

-

활성 영역

500µm Dia

시야각

-

작동 온도

-20°C ~ 55°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

J

파장

420nm

색상-강화

-

분광 범위

200nm ~ 900nm

다이오드 유형

Avalanche

nm에서의 반응

-

응답 시간

110ps

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

24.7V

전류-어둡게 (일반)

3µA

활성 영역

15.45mm²

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

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색상-강화

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분광 범위

-

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

-

응답 시간

75µs

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-어둡게 (일반)

250nA

활성 영역

-

시야각

90°

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

-

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