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PDI-C114-F

PDI-C114-F

참조 용

부품 번호 PDI-C114-F
PNEDA 부품 번호 PDI-C114-F
설명 SENSOR PHOTODIODE 950NM TO5
제조업체 Advanced Photonix
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재고 있음 3,276
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 4 - 5월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PDI-C114-F 리소스

브랜드 Advanced Photonix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PDI-C114-F
분류센서광 센서광 센서-포토 다이오드

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  • PDI-C114-F Distributor

PDI-C114-F 사양

제조업체Advanced Photonix
시리즈-
파장950nm
색상-강화-
분광 범위700nm ~ 1100nm
다이오드 유형PIN
nm에서의 반응-
응답 시간20ns
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-어둡게 (일반)3nA
활성 영역17.74mm²
시야각63°
작동 온도-40°C ~ 80°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-5 Variant, 2 Leads, Lens Top Metal Can

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다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

5ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-어둡게 (일반)

65pA

활성 영역

2.03mm²

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

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Advanced Photonix

제조업체

Advanced Photonix

시리즈

-

파장

-

색상-강화

-

분광 범위

250nm ~ 1100nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

1µs

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-어둡게 (일반)

400pA

활성 영역

17.74mm²

시야각

120°

작동 온도

-40°C ~ 90°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

2-DIP Module

MICRORB-10020-MLP-TR

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

RB

파장

905nm

색상-강화

Infrared (NIR)/Red

분광 범위

300nm ~ 1050nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

270 kA/W @ 905nm

응답 시간

1ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

23V

전류-어둡게 (일반)

540nA

활성 영역

1mm²

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, No Lead

BPD-BQDA34-RR

American Bright Optoelectronics Corporation

제조업체

American Bright Optoelectronics Corporation

시리즈

-

파장

-

색상-강화

Infrared (NIR)

분광 범위

-

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

50ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-어둡게 (일반)

100nA (Max)

활성 영역

-

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Radial

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Advanced Photonix

제조업체

Advanced Photonix

시리즈

-

파장

660nm

색상-강화

-

분광 범위

-

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

450ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-어둡게 (일반)

150pA

활성 영역

2.98mm²

시야각

-

작동 온도

-15°C ~ 70°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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