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PDI-G103L

PDI-G103L

참조 용

부품 번호 PDI-G103L
PNEDA 부품 번호 PDI-G103L
설명 SENSOR PHOTODIODE 940NM TO46-2
제조업체 Advanced Photonix
단가 견적 요청
재고 있음 8,496
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PDI-G103L 리소스

브랜드 Advanced Photonix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PDI-G103L
분류센서광 센서광 센서-포토 다이오드

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PDI-G103L 사양

제조업체Advanced Photonix
시리즈-
파장940nm
색상-강화-
분광 범위840nm ~ 940nm
다이오드 유형-
nm에서의 반응-
응답 시간1µs
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-어둡게 (일반)200pA
활성 영역0.79mm²
시야각65°
작동 온도-40°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-46-2 Metal Can

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다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-어둡게 (일반)

1nA

활성 영역

0.79mm²

시야각

40°

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Radial

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Advanced Photonix

제조업체

Advanced Photonix

시리즈

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파장

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색상-강화

Blue

분광 범위

700nm ~ 1100nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

15ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-어둡게 (일반)

2nA

활성 영역

8.07mm²

시야각

120°

작동 온도

-40°C ~ 80°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Radial

PDB-V140

Advanced Photonix

제조업체

Advanced Photonix

시리즈

-

파장

950nm

색상-강화

Blue

분광 범위

350nm ~ 1100nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

925ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-어둡게 (일반)

2nA

활성 영역

29.02mm²

시야각

120°

작동 온도

-40°C ~ 90°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

2-DIP Module

PDB-C612-3

Advanced Photonix

제조업체

Advanced Photonix

시리즈

-

파장

940nm

색상-강화

Blue

분광 범위

350nm ~ 1100nm

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

-

응답 시간

45ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-어둡게 (일반)

75nA

활성 영역

68.7mm²

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Free Hanging

패키지 / 케이스

Chip with 34 Gauge BUSS Wire

SFH 203 P

OSRAM Opto Semiconductors Inc.

제조업체

OSRAM Opto Semiconductors Inc.

시리즈

-

파장

850nm

색상-강화

-

분광 범위

400nm ~ 1100nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

0.62 A/W @ 850nm

응답 시간

5ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-어둡게 (일반)

1nA

활성 영역

1mm²

시야각

150°

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Radial

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