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PDTB113ZS,126

PDTB113ZS,126

참조 용

부품 번호 PDTB113ZS,126
PNEDA 부품 번호 PDTB113ZS-126
설명 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,172
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 18 - 3월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PDTB113ZS 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PDTB113ZS,126
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
PDTB113ZS, PDTB113ZS 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 130.06 KB)
PDFPDTB113ZK 데이터 시트 표지
PDTB113ZK 데이터 시트 페이지 2 PDTB113ZK 데이터 시트 페이지 3 PDTB113ZK 데이터 시트 페이지 4 PDTB113ZK 데이터 시트 페이지 5 PDTB113ZK 데이터 시트 페이지 6 PDTB113ZK 데이터 시트 페이지 7 PDTB113ZK 데이터 시트 페이지 8 PDTB113ZK 데이터 시트 페이지 9 PDTB113ZK 데이터 시트 페이지 10

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PDTB113ZS 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환-
전력-최대500mW
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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Panasonic Electronic Components

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

3-SSIP

공급자 장치 패키지

NS-B1

DTC144EEBTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

공급자 장치 패키지

EMT3F (SOT-416FL)

RN1413(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

S-Mini

FJV3111RMTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

RN2305(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

USM

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