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PDTC123TT,215

PDTC123TT,215

참조 용

부품 번호 PDTC123TT,215
PNEDA 부품 번호 PDTC123TT-215
설명 TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 7,002
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PDTC123TT 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PDTC123TT,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
PDTC123TT, PDTC123TT 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 580.52 KB)
PDFPDTC123TE 데이터 시트 표지
PDTC123TE 데이터 시트 페이지 2 PDTC123TE 데이터 시트 페이지 3 PDTC123TE 데이터 시트 페이지 4 PDTC123TE 데이터 시트 페이지 5 PDTC123TE 데이터 시트 페이지 6 PDTC123TE 데이터 시트 페이지 7 PDTC123TE 데이터 시트 페이지 8 PDTC123TE 데이터 시트 페이지 9 PDTC123TE 데이터 시트 페이지 10

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  • PDTC123TT,215 Distributor

PDTC123TT 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA
주파수-전환-
전력-최대250mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지TO-236AB

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Diodes Incorporated

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

-

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SC-59-3

UNR921BG0L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

100 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

125mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

공급자 장치 패키지

SSMini3-F3

DDTC144ECA-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

RN2117(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

1 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

3 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

230mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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