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PDTC123YE,115

PDTC123YE,115

참조 용

부품 번호 PDTC123YE,115
PNEDA 부품 번호 PDTC123YE-115
설명 TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,552
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PDTC123YE 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PDTC123YE,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
PDTC123YE, PDTC123YE 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 254.54 KB)
PDFPDTC123YS 데이터 시트 표지
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  • PDTC123YE,115 Distributor

PDTC123YE 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce35 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA
주파수-전환-
전력-최대150mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지SC-75

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PNP - Pre-Biased

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500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

115 @ 100mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

260MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

EMT3

MMUN2116LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

246mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

DDTC122LU-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

220 Ohms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

ADTA113ZUAQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

저항-베이스 (R1)

-

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

-

전력-최대

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DTB523YETL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

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