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PDTD123YS,126

PDTD123YS,126

참조 용

부품 번호 PDTD123YS,126
PNEDA 부품 번호 PDTD123YS-126
설명 TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,560
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PDTD123YS 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PDTD123YS,126
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
PDTD123YS, PDTD123YS 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 241.68 KB)
PDFPDTD123YK 데이터 시트 표지
PDTD123YK 데이터 시트 페이지 2 PDTD123YK 데이터 시트 페이지 3 PDTD123YK 데이터 시트 페이지 4 PDTD123YK 데이터 시트 페이지 5 PDTD123YK 데이터 시트 페이지 6 PDTD123YK 데이터 시트 페이지 7 PDTD123YK 데이터 시트 페이지 8 PDTD123YK 데이터 시트 페이지 9 PDTD123YK 데이터 시트 페이지 10 PDTD123YK 데이터 시트 페이지 11

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PDTD123YS 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환-
전력-최대500mW
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

관심을 가질만한 제품

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Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

Mini3-G3-B

BCR196E6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

150MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

DTC044TMT2L

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

60mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

VMT3

MMUN2231LT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

2.2 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

8 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

246mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

PDTC114YQAZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

230MHz

전력-최대

280mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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