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PDZVTFTR3.0B

PDZVTFTR3.0B

참조 용

부품 번호 PDZVTFTR3.0B
PNEDA 부품 번호 PDZVTFTR3-0B
설명 PDZVTF3.0B IS A ZENER DIODE WITH
제조업체 Rohm Semiconductor
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PDZVTFTR3.0B 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PDZVTFTR3.0B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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PDZVTFTR3.0B 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)3V
공차±6.67%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)15 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-128
공급자 장치 패키지PMDTM

관심을 가질만한 제품

3EZ91D5E3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

91V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

115 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 69.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N5345E3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.7V

공차

±20%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 6.25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

SZBZX84C39ET1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

39V

공차

±5%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

130 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 27.3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

CDLL5920B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±5%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

1N6318US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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