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PF48F2000P0ZTQ0A

PF48F2000P0ZTQ0A

참조 용

부품 번호 PF48F2000P0ZTQ0A
PNEDA 부품 번호 PF48F2000P0ZTQ0A
설명 IC FLASH 64M PARALLEL 88SCSP
제조업체 Micron Technology Inc.
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PF48F2000P0ZTQ0A 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PF48F2000P0ZTQ0A
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
PF48F2000P0ZTQ0A, PF48F2000P0ZTQ0A 데이터 시트 (총 페이지: 97, 크기: 1,227.85 KB)
PDFPC48F4400P0VB02E 데이터 시트 표지
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PF48F2000P0ZTQ0A 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈StrataFlash™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수52MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지85ns
접근 시간85ns
전압-공급1.7V ~ 2V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스88-TFBGA, CSPBGA
공급자 장치 패키지88-SCSP (8x10)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

132-LBGA

공급자 장치 패키지

132-LBGA (12x18)

BQ4011MA-150

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

150ns

접근 시간

150ns

전압-공급

4.75V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP Module (0.61", 15.49mm)

공급자 장치 패키지

28-DIP Module (18.42x37.72)

CY7C1418TV18-267BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

36Mb (2M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

267MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

AT25HP512-10PC-2.7

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

CY7C25682KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II+

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

550MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

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