PH20100S,115
참조 용
| 부품 번호 | PH20100S,115 |
| PNEDA 부품 번호 | PH20100S-115 |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,146 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PH20100S 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PH20100S,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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PH20100S 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 34.3A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2264pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 62.5W (Tc) |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 패키지 / 케이스 | SC-100, SOT-669 |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 140mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3200pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.23W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FM 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ K5 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 635pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 30W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FP 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1600pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3F 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 130W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
