PH9030AL,115
참조 용
| 부품 번호 | PH9030AL,115 |
| PNEDA 부품 번호 | PH9030AL-115 |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,362 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PH9030AL 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PH9030AL,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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PH9030AL 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 61A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.8nC @ 10V |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1006pF @ 12V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 패키지 / 케이스 | SC-100, SOT-669 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 700mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 350mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 60pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 280mW (Tj) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-70-3 (SOT323) 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 |
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