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PHE13005X,127

PHE13005X,127

참조 용

부품 번호 PHE13005X,127
PNEDA 부품 번호 PHE13005X-127
설명 TRANS NPN 400V 4A TO-220F
제조업체 WeEn Semiconductors
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PHE13005X 리소스

브랜드 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PHE13005X,127
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
PHE13005X, PHE13005X 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 500.12 KB)
PDFPHE13005X 데이터 시트 표지
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PHE13005X 사양

제조업체WeEn Semiconductors
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce10 @ 2A, 5V
전력-최대26W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지TO-220F

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Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

350mW

주파수-전환

400MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

MMBTA42-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

전력-최대

300mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

ZXTN25012EFLTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 100mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

500 @ 10mA, 2V

전력-최대

350mW

주파수-전환

260MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BC327ZL1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

260MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

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Through Hole

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